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'파워큐브세미, 2,300V SiC MOSFET 개발 성공!'

• 2024.03.26 14:00 인기
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'파워큐브세미'는 국내 최초로 2,300V SiC MOSFET을 개발했다고 발표했습니다. SiC는 미래 전력반도체를 주도할 차세대 소자로 손꼽히며, 전기자동차와 데이터센터 등 첨단기술에 필수적입니다. 이 회사는 국내에서 SiC, Si, Ga2O3 전력반도체를 설계하는 팹리스 기업으로, 최근 중국의 글로벌 전기자동차 기업에 대용량 SJ MOSFET을 공급했습니다.특히, 2,300V SiC MOSFET은 국내 최초 개발 사례로, 독일의 Infineon이 2,000V 제품을 출시한 것과 비교해 앞섰습니다. 이 제품은 고내압, 저전력이 필요한 어플리케이션에 적용될 예정이며, 한국전력의 송배전용 인버터에도 협의 중입니다.과학기술정보통신부는 전력반도체를 국가전략기술로 지정하고 국산화를 추진하고 있지만, 해외 기업들이 주도하고 있습니다. 이번 파워큐브세미의 개발로 국내 기업이 국산화에 성공할 가능성이 주목받고 있습니다.'파워큐브세미'의 강태영 대표는 '노력의 결과로 2,300V SiC MOSFET을 개발해 기쁘다. 고내압, 저전력 어플리케이션에 적용해 판매할 것'이라고 말했습니다.

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