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'美 연구팀, 600도 고온에 견디는 비휘발성 메모리 개발 성공'

• 2024.06.11 15:28
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연구팀이 개발한 새로운 메모리 디바이스는 강유전체 다이오드를 기반으로 한다. 이 디바이스는 '강유전성 질화알루미늄 스칸듐(AlScN)'이라 불리는 재료를 사용하여 최대 600도까지의 온도에서도 작동이 가능하다. 이 메모리는 니켈과 플래티넘 전극에 AlScN 다이오드를 삽입한 구조로, AlScN 다이오드의 두께는 45나노미터로, 이는 사람 머리카락의 약 1800분의 1 크기이다. 연구팀은 최적의 두께를 찾는 데 몇 달이 걸렸으며, AlScN의 안정적이고 강한 원자 간 결합으로 인해 전기적 상태를 빠르게 전환할 수 있는 특징을 갖고 있다. 또한, 이 메모리는 100만회의 데이터 판독에 대응하며 6시간 이상 안정적인 온·오프 비율을 유지할 수 있다. 전기 공학 교수인 딥 자리왈라는 이 메모리 디바이스가 극한 기온 환경부터 우주 탐사까지 다양한 분야에서 고속 데이터 처리를 가능케 할 것으로 기대된다.

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